什么是SiC-SBD？
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碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。SiC六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高热传导系数的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的宽禁带暨第三代半导体材料。
SiC Diodes VS Si Diodes
SiC-SBD VS 传统Si-FRD 的恢复特性
温度对二极管反向恢复特性的影响
温度上升时，Si-FRD 的响载流子浓度也随之上升，因此需要的trr和Irrm也会变大，而SiC-SBD 反向恢复特性基本不受温度影响。
IF对二极管反向恢复特性的影响
Si FRD 正向偏置的IF 越大，反向偏置时trr与Irrm越大，而SiC SBD 几乎不受IF影响。
温度特性对VF 的影响
Si VF 温度特性曲线为负温度系数，温度越高，VF 越小，不利于并联使用，而SiC VF温度特性曲线为正温度系数，温度越高，VF越大，利于并联使用。
SiC SBD 适用拓扑
SiC SBD典型应用领域
SiC功率器件相比于Si功率器件，可降低能量损耗、更易实现小型化、更耐高温，因此在高压领域有极好的表现能力，目前碳化硅功率器件主要被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩及光伏、风电、轨道交通、通讯电源、工业电源等多个应用领域。
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